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TN0200K
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.2
100000
10000
0.1
I D = 50 μA
1000
- 0.0
100
- 0.1
- 0.2
- 0.3
- 0.4
10
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 °C
T J = 25 °C
- 50
- 25
0
25 50 75
T J – Temperature ( ° C)
100
125
150
0
2 4 6 8
V GS – Gate-to-Source Voltage (V)
10
Threshold Voltage
Gate Current vs. Gate-Source Voltage
5
10
I DM Limited
4
3
1
*r DS(on) Limited
1 ms
10 ms
2
0.1
I D(on)
Limited
100 ms
1s
10 s
1
0.01
T A = 25 °C
Single Pulse
dc
BV DSS Limited
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
600
0.1
1 10 100
Time (sec)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
*V GS
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
minimum V GS at which r DS(on) is specified
Safe Operating Area
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (sec)
Normalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see http://www.vishay.com/ppg?72678 .
www.vishay.com
4
Document Number: 72678
S-71198–Rev. B, 18-Jun-07
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